Comprar Vishay Siliconix SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

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Hojas de datos

SI3430DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Número de pieza

SI3430DV-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Disipación de energía (máx.)

1.14W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.8A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA (Min)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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