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SI3993DV-T1-E3

SI3993DV-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Número de pieza
SI3993DV-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
830mW
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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