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SI4774DY-T1-GE3

SI4774DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Número de pieza
SI4774DY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
SkyFET®, TrenchFET®
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Body)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1025pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deSI4774DY-T1-GE3
SI4774DY-T1-GE3 Componentes electrónicos
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