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SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
Número de pieza
SI4845DY-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
LITTLE FOOT®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
1.75W (Ta), 2.75W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
312pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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