Comprar Vishay Siliconix SI4866BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

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Hojas de datos

SI4866BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Número de pieza

SI4866BDY-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5020pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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