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SI5485DU-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Número de pieza
SI5485DU-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® ChipFet Single
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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