Comprar Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

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SI5509DC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Número de pieza

SI5509DC-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Potencia - Máx.

4.5W

Paquete de dispositivo del proveedor

1206-8 ChipFET™

Tipo FET

N and P-Channel

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.1A, 4.8A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

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