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SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Número de pieza
SI5513CDC-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
3.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A, 3.7A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
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