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SI5517DU-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Número de pieza
SI5517DU-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Potencia - Máx.
8.3W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® ChipFet Dual
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 10V
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