La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Número de pieza
SI5858DU-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
LITTLE FOOT®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® ChipFet Dual
Disipación de energía (máx.)
2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 5294 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSI5858DU-T1-E3
SI5858DU-T1-E3 Componentes electrónicos
SI5858DU-T1-E3 Ventas
SI5858DU-T1-E3 Proveedor
SI5858DU-T1-E3 Distribuidor
SI5858DU-T1-E3 Tabla de datos
SI5858DU-T1-E3 Fotos
SI5858DU-T1-E3 Precio
SI5858DU-T1-E3 Oferta
SI5858DU-T1-E3 El precio más bajo
SI5858DU-T1-E3 Buscar
SI5858DU-T1-E3 Adquisitivo
SI5858DU-T1-E3 Chip