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SI5905BDC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Número de pieza
SI5905BDC-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
3.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
1206-8 ChipFET™
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 4V
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