La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI5975DC-T1-E3

SI5975DC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
Número de pieza
SI5975DC-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
1.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
1206-8 ChipFET™
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
86 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
450mV @ 1mA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 17987 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSI5975DC-T1-E3
SI5975DC-T1-E3 Componentes electrónicos
SI5975DC-T1-E3 Ventas
SI5975DC-T1-E3 Proveedor
SI5975DC-T1-E3 Distribuidor
SI5975DC-T1-E3 Tabla de datos
SI5975DC-T1-E3 Fotos
SI5975DC-T1-E3 Precio
SI5975DC-T1-E3 Oferta
SI5975DC-T1-E3 El precio más bajo
SI5975DC-T1-E3 Buscar
SI5975DC-T1-E3 Adquisitivo
SI5975DC-T1-E3 Chip