Comprar Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

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Hojas de datos

SI6463BDQ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Número de pieza

SI6463BDQ-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSSOP

Disipación de energía (máx.)

1.05W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 7.4A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

800mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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