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SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Número de pieza
SI7172ADP-T1-RE3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
7.5V, 10V
Vgs (máx.)
-
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