Comprar Vishay Siliconix SI7615ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

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Hojas de datos

SI7615ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Número de pieza

SI7615ADN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8

Disipación de energía (máx.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

35A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

183nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5590pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 10V

Vgs (máx.)

±12V

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