La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP
Número de pieza
SI8413DB-T1-E1
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-XFBGA, CSPBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
4-Microfoot
Disipación de energía (máx.)
1.47W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 44039 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSI8413DB-T1-E1
SI8413DB-T1-E1 Componentes electrónicos
SI8413DB-T1-E1 Ventas
SI8413DB-T1-E1 Proveedor
SI8413DB-T1-E1 Distribuidor
SI8413DB-T1-E1 Tabla de datos
SI8413DB-T1-E1 Fotos
SI8413DB-T1-E1 Precio
SI8413DB-T1-E1 Oferta
SI8413DB-T1-E1 El precio más bajo
SI8413DB-T1-E1 Buscar
SI8413DB-T1-E1 Adquisitivo
SI8413DB-T1-E1 Chip