Comprar Vishay Siliconix SI8416DB-T2-E1 MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

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Hojas de datos

SI8416DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Número de pieza

SI8416DB-T2-E1

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UFBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Disipación de energía (máx.)

2.77W (Ta), 13W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

16A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

800mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 4V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.2V, 4.5V

Vgs (máx.)

±5V

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