La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI8451DB-T2-E1

SI8451DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Número de pieza
SI8451DB-T2-E1
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-MICRO FOOT™
Paquete de dispositivo del proveedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Disipación de energía (máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 50364 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 Componentes electrónicos
SI8451DB-T2-E1 Ventas
SI8451DB-T2-E1 Proveedor
SI8451DB-T2-E1 Distribuidor
SI8451DB-T2-E1 Tabla de datos
SI8451DB-T2-E1 Fotos
SI8451DB-T2-E1 Precio
SI8451DB-T2-E1 Oferta
SI8451DB-T2-E1 El precio más bajo
SI8451DB-T2-E1 Buscar
SI8451DB-T2-E1 Adquisitivo
SI8451DB-T2-E1 Chip