Comprar Vishay Siliconix SI8457DB-T1-E1 MOSFET P-CH 12V MICROFOOT

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Hojas de datos

SI8457DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V MICROFOOT

Número de pieza

SI8457DB-T1-E1

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-UFBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

Disipación de energía (máx.)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

700mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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