Comprar Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

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Hojas de datos

SI8472DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Número de pieza

SI8472DB-T2-E1

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-UFBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

4-Micro Foot (1x1)

Disipación de energía (máx.)

780mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

44 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

900mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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