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SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Número de pieza
SI9933CDY-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
3.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
665pF @ 10V
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Palabras clave deSI9933CDY-T1-E3
SI9933CDY-T1-E3 Componentes electrónicos
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