Comprar Vishay Siliconix SIA430DJ-T4-GE3 MOSFET N-CH 20V SC-70-6

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SIA430DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 20V SC-70-6

Número de pieza

SIA430DJ-T4-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Last Time Buy

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-70-6

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipación de energía (máx.)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta), 12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

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