Comprar Vishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3 P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

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Hojas de datos

SIA485DJ-T1-GE3

P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

Número de pieza

SIA485DJ-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-70-6

Paquete de dispositivo del proveedor

Disipación de energía (máx.)

15.6W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.6 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 75V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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