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SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
Número de pieza
SIB411DK-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SC-75-6L
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-75-6L Single
Disipación de energía (máx.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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