Comprar Vishay Siliconix SIB422EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

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SIB422EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Número de pieza

SIB422EDK-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-75-6L

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SC-75-6L Single

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 13W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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