Comprar Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

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Hojas de datos

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Número de pieza

SIDR610DP-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SO-8DC

Disipación de energía (máx.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

7.5V, 10V

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