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SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 150V
Número de pieza
SIDR622DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8DC
Disipación de energía (máx.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1516pF @ 75V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
7.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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