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SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
Número de pieza
SIE830DF-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
WFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
10-PolarPAK® (S)
Paquete de dispositivo del proveedor
10-PolarPAK® (S)
Disipación de energía (máx.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±12V
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