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SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
Número de pieza
SIHG30N60AEL-GE3
Fabricante/Marca
Serie
EL
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AC
Disipación de energía (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
28A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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