Comprar Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

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Hojas de datos

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Número de pieza

SIHG33N65E-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AC

Disipación de energía (máx.)

313W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

32.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

173nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4040pF @ 100V

Vgs (máx.)

±30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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