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SIR124DP-T1-RE3

SIR124DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8
Número de pieza
SIR124DP-T1-RE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1666pF @ 40V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
7.5V, 10V
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