Comprar Vishay Siliconix SIR838DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

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SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Número de pieza

SIR838DP-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SO-8

Disipación de energía (máx.)

5.4W (Ta), 96W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

35A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2075pF @ 75V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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