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SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Número de pieza
SIR838DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2075pF @ 75V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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