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SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
Número de pieza
SIRA22DP-T1-RE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
83.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
0.76 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7570pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
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