La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Número de pieza
SIRA90DP-T1-RE3
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
104W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
0.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
153nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10180pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a chen_hx1688@hotmail.com, le responderemos lo antes posible.
En stock 47039 PCS
Palabras clave deSIRA90DP-T1-RE3
SIRA90DP-T1-RE3 Componentes electrónicos
SIRA90DP-T1-RE3 Ventas
SIRA90DP-T1-RE3 Proveedor
SIRA90DP-T1-RE3 Distribuidor
SIRA90DP-T1-RE3 Tabla de datos
SIRA90DP-T1-RE3 Fotos
SIRA90DP-T1-RE3 Precio
SIRA90DP-T1-RE3 Oferta
SIRA90DP-T1-RE3 El precio más bajo
SIRA90DP-T1-RE3 Buscar
SIRA90DP-T1-RE3 Adquisitivo
SIRA90DP-T1-RE3 Chip