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SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Número de pieza
SIS436DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 1212-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Disipación de energía (máx.)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
855pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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