Comprar Vishay Siliconix SIS990DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

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Hojas de datos

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Número de pieza

SIS990DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8 Dual

Potencia - Máx.

25W

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8 Dual

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12.1A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 50V

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