La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Número de pieza
SISA26DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 1212-8S
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
39W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2247pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 10917 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSISA26DN-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3 Componentes electrónicos
SISA26DN-T1-GE3 Ventas
SISA26DN-T1-GE3 Proveedor
SISA26DN-T1-GE3 Distribuidor
SISA26DN-T1-GE3 Tabla de datos
SISA26DN-T1-GE3 Fotos
SISA26DN-T1-GE3 Precio
SISA26DN-T1-GE3 Oferta
SISA26DN-T1-GE3 El precio más bajo
SISA26DN-T1-GE3 Buscar
SISA26DN-T1-GE3 Adquisitivo
SISA26DN-T1-GE3 Chip