Comprar Vishay Siliconix SISA40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

SISA40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

Número de pieza

SISA40DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8

Disipación de energía (máx.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

43.7A (Ta), 162A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3415pF @ 10V

Vgs (máx.)

+12V, -8V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 10V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 54884 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8