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SISA72ADN-T1-GE3

SISA72ADN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK 1212
Número de pieza
SISA72ADN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 1212-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Disipación de energía (máx.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 20V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
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