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SQ1470EH-T1-GE3

SQ1470EH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
Número de pieza
SQ1470EH-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-70-6 (SOT-363)
Disipación de energía (máx.)
3.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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Palabras clave deSQ1470EH-T1-GE3
SQ1470EH-T1-GE3 Componentes electrónicos
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