La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SQ4483EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Número de pieza
SQ4483EY-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Disipación de energía (máx.)
7W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 45809 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSQ4483EY-T1_GE3
SQ4483EY-T1_GE3 Componentes electrónicos
SQ4483EY-T1_GE3 Ventas
SQ4483EY-T1_GE3 Proveedor
SQ4483EY-T1_GE3 Distribuidor
SQ4483EY-T1_GE3 Tabla de datos
SQ4483EY-T1_GE3 Fotos
SQ4483EY-T1_GE3 Precio
SQ4483EY-T1_GE3 Oferta
SQ4483EY-T1_GE3 El precio más bajo
SQ4483EY-T1_GE3 Buscar
SQ4483EY-T1_GE3 Adquisitivo
SQ4483EY-T1_GE3 Chip