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SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
Número de pieza
SQJ431EP-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
83W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
213 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4355pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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