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SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Número de pieza
SQJ962EP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8 Dual
Potencia - Máx.
25W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 25V
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Palabras clave deSQJ962EP-T1-GE3
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