La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Número de pieza
SQS411ENW-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 1212-8W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8W
Disipación de energía (máx.)
53.6W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
27.3 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3191pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 8348 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSQS411ENW-T1_GE3
SQS411ENW-T1_GE3 Componentes electrónicos
SQS411ENW-T1_GE3 Ventas
SQS411ENW-T1_GE3 Proveedor
SQS411ENW-T1_GE3 Distribuidor
SQS411ENW-T1_GE3 Tabla de datos
SQS411ENW-T1_GE3 Fotos
SQS411ENW-T1_GE3 Precio
SQS411ENW-T1_GE3 Oferta
SQS411ENW-T1_GE3 El precio más bajo
SQS411ENW-T1_GE3 Buscar
SQS411ENW-T1_GE3 Adquisitivo
SQS411ENW-T1_GE3 Chip