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TN0200K-T1-E3
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
Número de pieza
TN0200K-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Disipación de energía (máx.)
350mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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