HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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BSN20BKR-HXY
N-channel 60V 0.3A
Número de pieza
BSN20BKR-HXY
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 300mA Power (Pd): 350mW On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@ 10V,0.3A
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