onsemi (Ansemi)
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FDC6301N Dual N-Channel, Digital FET, 25V, 0.22A, 4Ω

FDC6301N

Dual N-Channel, Digital FET, 25V, 0.22A, 4Ω
Número de pieza
FDC6301N
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-23-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
These dual N-channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace digital transistors in low voltage applications. Because no biasing resistors are required, these N-channel FETs can replace several digital transistors with various biasing resistors.
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