onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FFSH20120ADN-F085
1.2kV 15A 1.45V@10A SiC, dual die, 1200 V, 20 A
Número de pieza
FFSH20120ADN-F085
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-247-3
Embalaje
Tube
Número de paquetes
450
Descripción
Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. Silicon carbide's no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance make it a next-generation power semiconductor product. System benefits include highest energy efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 90784 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
650V 11.5A 1.5V@10A Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 650 V
onsemi (Ansemi)
FFSH20120ADN-F155 SiC Diode - 1200V, 20A, TO-247-3, Common Cathode
onsemi (Ansemi)
650V 36A 1.5V@30A Automotive Silicon carbide (SiC) Schottky diode, 650 V
onsemi (Ansemi)
650V 22.3A 1.38V@20A Automotive Silicon carbide (SiC) Schottky diode, 650 V
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deFFSH20120ADN-F085
FFSH20120ADN-F085 Componentes electrónicos
FFSH20120ADN-F085 Ventas
FFSH20120ADN-F085 Proveedor
FFSH20120ADN-F085 Distribuidor
FFSH20120ADN-F085 Tabla de datos
FFSH20120ADN-F085 Fotos
FFSH20120ADN-F085 Precio
FFSH20120ADN-F085 Oferta
FFSH20120ADN-F085 El precio más bajo
FFSH20120ADN-F085 Buscar
FFSH20120ADN-F085 Adquisitivo
FFSH20120ADN-F085 Chip