onsemi (Ansemi)
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FQB5N90TM
N-Channel 900V 5.4A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 5.4 A, 2.3 ?
Número de pieza
FQB5N90TM
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-263-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
This N-channel enhancement mode power MOSFET is produced using a planar stripe and DMOS proprietary process. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
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Palabras clave deFQB5N90TM
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