onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQD2N90TM
N-Channel 900V 1.7A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK
Número de pieza
FQD2N90TM
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
This N-channel enhancement mode power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS proprietary technology. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 65353 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
N-Channel 900V 1.7A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deFQD2N90TM
FQD2N90TM Componentes electrónicos
FQD2N90TM Ventas
FQD2N90TM Proveedor
FQD2N90TM Distribuidor
FQD2N90TM Tabla de datos
FQD2N90TM Fotos
FQD2N90TM Precio
FQD2N90TM Oferta
FQD2N90TM El precio más bajo
FQD2N90TM Buscar
FQD2N90TM Adquisitivo
FQD2N90TM Chip